摘要：采用ITO/Ti3O5薄膜結(jié)構(gòu)作為高亮度AlGaInP LED的電流擴(kuò)展層、窗口層、電流阻擋層和增透膜層。通過在電極下形成肖特基結(jié),避免電極下方無效電流注入,提高局域電流密度。通過ITO/Ti3O5增透膜設(shè)計提升LED的光提取效率。具有該ITO/Ti3O5薄膜結(jié)構(gòu)的主波長621nm的高亮度AlGaInP LED芯片(150μm×150μm)較傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)芯片發(fā)光強(qiáng)度提升40%,20mA注入電流下,電壓均值在2.1V左右。