摘要：以180 nm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工藝制造的STM32微處理器為實(shí)驗(yàn)對(duì)象,設(shè)計(jì)了由被測(cè)最小系統(tǒng)電路、劑量計(jì)、通訊電路和上位機(jī)組成的總劑量效應(yīng)實(shí)驗(yàn)條件。利用^60Co源分別在63.3 Gy(Si)?h^?1和101.2 Gy(Si)?h^?1劑量率下,對(duì)14個(gè)實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行了在線輻照,通過數(shù)據(jù)校驗(yàn)實(shí)時(shí)判斷受照樣品的功能運(yùn)行狀態(tài);在227.2~855.0 Gy(Si)累積劑量范圍內(nèi),對(duì)75個(gè)實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行了離線輻照,對(duì)比樣品受照前后的功能運(yùn)行狀態(tài)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:片內(nèi)FLASH存儲(chǔ)器是STM32微處理器中最先損傷的硬件單元;受照前后,STM32微處理器各引腳的對(duì)地阻抗以及片內(nèi)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器輸出值基本無(wú)變化,功耗電流略有增加。63.3 Gy(Si)?h^?1和101.2 Gy(Si)?h^?1在線照射條件下輻照損傷劑量分別為(235.4±16.4)Gy(Si)和(197.4±13.0)Gy(Si);離線照射條件下的輻照損傷劑量介于391.5~497.6 Gy(Si)之間。