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一種用于激光背面測試CMOS圖像芯片的封裝方法研究

摘要:研究方向是最終用于激光背面測試的 CMOS 圖像芯片 PLCC 封裝方法,通過采用 DOE 實驗優(yōu)化的方法,以封裝工藝中鍵合的實際鍵合效率為依據(jù),得出了關(guān)于封裝中底部壓塊設(shè)計的最優(yōu)方案,以確保 CMOS 圖像芯片封裝可以穩(wěn)定高效地完成。

關(guān)鍵詞:
  • 集成電路制造  
  • cmos圖像芯片封裝  
  • plcc封裝  
  • 激光背面測試  
  • doe實驗優(yōu)化  
  • 鍵合  
作者:
史海軍; 葉紅波
單位:
上海集成電路研發(fā)中心測試技術(shù)部; 上海201203
刊名:
集成電路應(yīng)用

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期刊名稱:集成電路應(yīng)用

集成電路應(yīng)用雜志緊跟學(xué)術(shù)前沿,緊貼讀者,國內(nèi)刊號為:31-1325/TN。堅持指導(dǎo)性與實用性相結(jié)合的原則,創(chuàng)辦于1984年,雜志在全國同類期刊中發(fā)行數(shù)量名列前茅。