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SOI壓阻式面內(nèi)加速度傳感器的交叉靈敏度

摘要:設計了一種基于絕緣襯底上硅(SOI)片的面內(nèi)振動壓阻式加速度傳感器,并針對其交叉靈敏度性能進行了研究,分析得出傳感器的靈敏度與壓阻微梁的軸向應力呈正比關系,并通過仿真說明該結構形式的加速度傳感器具有非常低的交叉靈敏度,對檢測方向的輸出干擾非常小。進行了工藝加工和實驗測試,實驗結果表明,該面內(nèi)振動的壓阻式加速度傳感器在20℃下,工作方向上的靈敏度為0.67 mV/g,而另外兩個非工作方向(x軸和z軸)上的交叉靈敏度分別為7.3×10-4%和6.6×10-4%,對工作方向的加速度檢測影響非常小,此結構的設計方法對于高性能的加速度傳感器的研究具有重要的參考意義。

關鍵詞:
  • 面內(nèi)振動  
  • 壓阻式傳感器  
  • 加速度傳感器  
  • 交叉靈敏度  
作者:
袁本鑄; 許煜; 賈琛
單位:
北京東大國芯科技有限公司; 北京100095; 西安交通大學精密工程與光學測試技術研究所; 西安710049
刊名:
微納電子技術

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期刊名稱:微納電子技術

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