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氧化處理對碳化硅陶瓷致密性的影響

摘要：采用不同制備工藝(即SiC粉體的預(yù)氧化處理),以Al2O3-MgO-Y2O3為燒結(jié)助劑,在1 900℃下無壓燒結(jié)制備SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌.結(jié)果表明:碳化硅粉料未經(jīng)預(yù)氧化處理,制備出的SiC陶瓷表面孔隙相對較小,密度相對較高.SiO2薄層的形成不利于制備高密度、高強度的SiC陶瓷樣品.

關(guān)鍵詞：
  • 碳化硅陶瓷  
  • 致密性  
  • 預(yù)氧化  
作者：
薛明明
單位：
伊犁師范大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院; 新疆凝聚態(tài)相變與微結(jié)構(gòu)實驗室; 新疆伊寧835000
刊名：
伊犁師范學(xué)院學(xué)報·社會科學(xué)版

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伊犁師范學(xué)院學(xué)報·社會科學(xué)版緊跟學(xué)術(shù)前沿，緊貼讀者，國內(nèi)刊號為：65-1186/G4。堅持指導(dǎo)性與實用性相結(jié)合的原則，創(chuàng)辦于1982年，雜志在全國同類期刊中發(fā)行數(shù)量名列前茅。